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碳化硅與氮化鎵
發(fā)布時間:2018/8/20      瀏覽次數(shù):3057

碳化硅與氮化鎵的相同之處 碳化硅與氮化鎵均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料

,它們具有禁帶寬度大、電子漂移飽和速度高
、介電常數(shù)小
、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化
、導(dǎo)熱性的高要求,這類材料的市場需求暴漲
,適用于制作抗輻射
、高頻、大功率和高密度集成的電子器件
。 碳化硅與氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)與不足 碳化硅又叫金剛砂,是用石英砂
、石油焦
、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物——莫桑石
,在當(dāng)代C
、N
、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中
,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種
。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種
,均為六方晶體
。 氮化鎵是氮和鎵的化合物
,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,該化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦
,硬度很高
。氮化鎵的能隙很寬
,為3.4電子伏特
,可以用在高功率
、高速的光電元件中,如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管
,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下,產(chǎn)生紫光激光
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